Краткие сообщения

Низкопороговые (${j_{\text{п}}= 230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K) AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии

Ж. И. Алфёров^a, В. М. Андреев^a, А. А. Воднев^a, О. О. Ивентьева^a, В. Р. Ларионов^a, В. Д. Румянцев

^a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 13.07.1985
Принята в печать: 02.10.1985