Время жизни свободных вакансий и собственных межузельных атомов в $n$-германии при электронном и гамма-облучении

На основании данных об энергетических спектрах собственных межузельных атомов ($I$) и вакансий ($V$) в германии предложена модель процессов взаимодействия $I$ и $V$ между собой и с имеющимися в кристалле атомами примесей. Исследованы процессы, определяющие времена жизни $\tau_{I}$ и $\tau_{V}$ в условиях электронного и гамма-облучения при различных температурах. Сделаны оценки времени жизни $I$ и $V$ в диапазоне гелиевых и азотных температур и получены зависимости этих величин от концентрации атомов легирующей примеси V группы и от интенсивности облучения при ${T\sim300}$ K.
Установлено, что приобретение вакансией способности мигрировать при достаточно высоких температурах коренным образом изменяет процесс дефектообразования. Дано объяснение экспериментальной зависимости скорости образования устойчивых при 300 K дефектов (включающих атом примеси) от при заданной интенсивности облучения, получено совпадение расчетных и экспериментальных зависимостей ($dN_{D}/dt)\,(N_{D})$. Установлено, что для германия с любой заданной концентрацией $N_{D}$ существует диапазон интенсивностей, в котором сечение образования устойчивых при 300 K дефектов, включающих примесный атом V группы, сильно зависит от интенсивности облучения.