Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом

Исследовано резонансное детектирование терагерцового излучения субмикронными полевыми транзисторами GaAs/AlGaAs (длина затвора $L$ = 250 нм) с двумерным электронным газом в канале при $T$ = 4.2 K. Для таких транзисторов впервые продемонстрировано смещение максимума отклика (фотоэдс сток-исток) с ростом частоты в область больших напряжений на затворе в соответствии с моделью Дьяконова–Шура. Показано, что при повышении температуры до 77 K зависимость фотоэдс от напряжения на затворе становится нерезонансной, что связано с уменьшением подвижности.