Послойный рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда

Описана методика послойного рентгеноспектрального микроанализа полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда с последующей математической обработкой результатов измерений. Экспериментальные зависимости относительной интенсивности рентгеновского излучения от энергии электронного зонда сравнивались с результатами расчетов методом Монте-Карло. При этом делались априорные предположения о характере распределения концентрации по глубине, а численные параметры распределения отыскивались из условия наилучшего совпадения экспериментальных и расчетных зависимостей. Описанная методика применена для анализа распределения концентрации Al по глубине в образцах SiC и GaN.