Исследование электронной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Атомы С, Ge и их комплексы с вакансиями

В кластерном приближении на основе расчетов ab initio (МО ЛКАО ССП, спин-ограниченный метод Хартри–Фока, STO$-$3G-базис) и полуэмпирического метода ППДП/2 получены локальные плотности состояний изовалентных примесей (С, Ge) и их комплексов (С + вак., Ge + вак., Ge + Ge, Ge + C, Ge$_{2}$ + вaк., Ge + вак.$_{2}$, C + Ti, Ge + Ti, Ge + C + Ti) в кремнии. Методом ППДП/2 изучена релаксация решетки вблизи дефектов Ge, Ge + C, Ge$_{2}$ + вак. Предсказан эффект влияния титана на плотность состояний кремния с углеродом и германием.