Механизм усиления и кинетика фототока в вертикальных фотопроводниках на основе гетероструктуры AlGaAs$-$GaAs

Приведены результаты исследования статических и динамических характеристик вертикальных фотопроводников на основе слабо легированного GaAs с пространственным ограничением канала. В качестве токоизолирующих областей использовались слои полуизолирующего AlGaAs и SiO$_{2}$. Обнаружено определяющее влияние потенциального барьера для дырок в валентной зоне и ловушек на границе активный слой–изолятор на усиление фототока и быстродействие при ${P\lesssim10^{-5}\div10^{-4}}$ Вт. С увеличением уровня возбуждения наблюдаются возрастание роли дрейфового механизма усиления и спад чувствительности от ${(3\div5)\cdot10^{3}}$ до ${1\div5}$ А/Вт при ${P\sim10^{-1}}$ Вт. Полученное значение произведения усиления на полосу пропускания составляет ${2\div4}$ ГГц. Предполагается возможность осуществления квазибаллистического режима транспорта электронов в структурах с субмикронными размерами канала.