Ф. Ф. Комаров, Е. В. Котов, А. П. Новиков, С. А. Петров, Т. Т. Самойлюк, “Остаточные дефекты в кремнии при имплантации ионов As$^{+}$ в самоотжиговом режиме”, Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 10,страницы 1863

Остаточные дефекты в кремнии при имплантации ионов As$^{+}$ в самоотжиговом режиме

Ф. Ф. Комаров, Е. В. Котов, А. П. Новиков, С. А. Петров, Т. Т. Самойлюк

Аннотация: Методами обратного резерфордовского рассеяния (ОРР) и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) исследован характер радиационных нарушений, возникающих в кристаллах кремния ориентации (001) при высокоинтенсивной имплантации ионов As$^{+}$. Установлено, что дефекты имеют гексагональную структуру и образуются вблизи границы раздела аморфного слоя с кристаллической матрицей. Обсуждается возможный механизм образования дефектов и их роста.