Самодефокусировка излучения неодимового лазера в кристаллах $n$-InP с разной степенью легирования

Экспериментально и теоретически изучена динамика дефокусировки импульсного излучения неодимового лазера (${\tau_{\text{и}}\approx200}$ нс) в кристаллах $n$-InP с ${n_{1}=4.2\cdot10^{18}}$, ${n_{2}=5.6\cdot10^{16}}$ и ${n_{3}=2.8\cdot10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ при ${T=300}$ K. Обнаружено, что дефокусировка излучения резко возрастает с уменьшением уровня легирования исследованных образцов, так же как и инерционность эффекта. Эти явления объяснены увеличением эффективного времени жизни двухфотонно возбужденных лазерным излучением неравновесных носителей с уменьшением степени легирования образцов. Из сравнения с теоретическим расчетом получены оценки для эффективных времен жизни: ${\tau_{\text{э}1}\approx30}$, ${\tau_{\text{э}2}\approx200}$, ${\tau_{\text{э}3}\approx400}$ нс, которые находятся в удовлетворительном согласии с измерениями $\tau_{\text{э}}$ в образцах $2$ и $3$ по спаду фототока (${\tau_{\text{э}2}\approx250}$ и ${\tau_{\text{э}3}\approx350}$ нс). Обнаруженные эффекты самодефокусировки в слабо легированных образцах $n$-InР могут быть использованы для ограничения и укорочения импульсов излучения неодимового лазера.