Осциллирующий знакопеременный интегральный эффект Ханле в варизонном полупроводнике

Экспериментально обнаружен ранее предсказанный теоретически осциллирующий знакопеременный характер деполяризации интегрального по спектру излучения $I$ в магнитном поле $H$ в варизонном полупроводнике ($p$-GaAlAs), в котором $g$-фактор электронов зависит от координаты в направлении градиента ширины запретной зоны и на некотором расстоянии от широкозонной поверхности изменяет знак.
Установлены основные закономерности деполяризации излучения:
— зависимость $I (H)$ осциллирует относительно лоренциана, построенного для значения $g$-фактора электронов на широкозонной поверхности структуры;
— понижение температуры, увеличивающее роль дрейфа электронов по сравнению с диффузией, а также травление структуры со стороны широкозонной поверхности, приближающее точку смены знака $g$-фактора к этой поверхности, приводят к увеличению амплитуды осцилляций и появлению отрицательных значений $I$.
Для количественного сравнения экспериментальных результатов с теорией были определены параметры переноса ориентированных электронных спинов: так, при ${T=20}$ K время жизни магнитного момента системы неравновесных электронов — ${(2.6\pm0.2)\cdot10^{-10}}$ с и подвижность электронов — ${(7.8\pm0.6)\cdot10^{3}\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$.
Показано хорошее согласие эксперимента с теорией.