Краткие сообщения

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики $p{-}n$-переходов, изготовленных имплантацией бериллия в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$

Г. И. Кольцов, Е. А. Ладыгин, С. Ю. Юрчук, Ф. А. Заитов