RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 10,
страницы
1924–1927
(Mi phts935)
Краткие сообщения
Релаксация заполнения объемных уровней в полупроводнике, стимулированная электрическим полем приповерхностного слоя обеднения
Е. И. Гольдман
,
А. Г. Ждан
Полный текст:
PDF файл (413 kB)
©
МИАН
, 2024