О подвижности двумерных носителей заряда при пьезоакустическом рассеянии

Получены выражения времени релаксации импульса пробной частицы и среднего импульса трехмерного и двумерного газа электронов в области малоуглового рассеяния и сильного экранирования. Приведена грубая оценка теоретического предела подвижности двумерных электронов в GaAs. При ${T\simeq5}$ K и ${n\simeq5\cdot10^{11}\,\text{см}^{-2}}$ она составляет ${6\cdot10^{6}\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$, что в 3 раза превышает достигнутое Хиямизу и др. рекордное значение подвижности.