Исследование начальных стадий роста Mg на Si(111) при комнатной температуре методами оптической и электронной спектроскопии

С использованием методов дифракции медленных электронов, спектроскопии характеристических потерь энергии электронами и дифференциальной отражательной спектроскопии исследованы начальные стадии роста пленки Mg на Si(111) при комнатной температуре. В исследованном диапазоне значений толщины пленки магния ($h$ = 0–0.2 нм) обнаружено формирование полупроводникового силицида магния (Mg$_2$Si), являющегося перспективным материалом для создания кремний-силицидных термоэлементов. При малой толщине осажденной пленки формируются идентичные кластеры Mg$_2$Si. Увеличение количества атомов Mg приводит к формированию двумерных, а затем и трехмерных островков Mg$_2$Si. Для всех структур получены спектры функции изменения оптического отклика $\delta\Lambda''_\theta$, являющиеся характеристикой их оптических свойств.