Влияние дозы имплантации на рекристаллизацию слоев поли-Si лазером CO$_{2}$ непрерывного действия

Слои поли-Si, осажденные пиролизом силана на термически окисленные пластины кристаллического Si, имплантировались ионами В и Р. Последующий отжиг проводился лазером СO$_{2}$ непрерывного действия (НД) или в диффузионной печи. В отожженных слоях поли-Si измерялись поверхностное сопротивление ($R_{s}$) и холловская подвижность носителей заряда. Показано следующее: 1)  лазером СO$_{2}$ НД можно отжечь слои поли-Si как в твердофазном, так и в жидкофазном режимах, и после лазерной жидкофазной кристаллизации (ЖФР) $R_{s}$ слоев поли-Si в 2$-$4 раза меньше, чем $R_{s}$ после лазерной или термической ТФР; 2)  лазером СO$_{2}$ ИД в режиме твердофазной кристаллизации (ТФР) можно отжечь слои поли-Si с обратной стороны кремниевой подложки; 3)   в области больших доз имплантации (${D>5.8\cdot10^{15}\,\text{см}^{-2}}$ для бора и ${D > 2\cdot10^{15}\,\text{см}^{-2}}$ для фосфора) отжиг лазером CO$_{2}$ заметно затрудняется из-за возникновения плазменного отражения, однако его влияние можно уменьшить, проводя лазерный отжиг (ЛО) с обратной стороны (ТФР), или устранить, проведя перед ЛО перераспределение примесей термическим отжигом.