Особенности отжига рекомбинационных центров в нейтронно легированном кремнии

Исследовались особенности отжига рекомбинационных центров (РЦ) в нейтронно легированном кремнии Si$\langle$HЛ$\rangle$ с удельным сопротивлением 30 и 200 Ом $\cdot$ см, облученном гамма-квантами $^{60}$Со при ${T\lesssim50^{\circ}}$С. Время жизни $\tau$ неравновесных носителей заряда измерялось по спаду фотопроводимости фазовым методом. Установлено, что в интервале температур ${150\div300^{\circ}}$С наблюдается дообразование РЦ, вследствие чего $\tau$ существенно уменьшается. При этом характер отжига, а также температура окончательного восстановления т меняются от образца к образцу, тогда как коэффициент радиационного изменения $\tau$ был постоянным в пределах слитка, хотя его значения существенно меньше, чем в контрольных кристаллах. Предполагается, что при нейтронном легировании и последующем восстановительном отжиге (а в бездислокационном кремнии уже в процессе выращивания) в объеме кристалла формируются включения (преципитаты) собственных или примесных атомов, окруженных примесной атмосферой. Захват генерируемых при облучении вакансий этими включениями приводит к уменьшению скорости введения $E$-центров, в то время как характер отжига РЦ определяется процессами в примесной атмосфере.