Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, Л. П. Никитин, “Фотолюминесцентные исследования захвата носителей в квантовую яму ДГС InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 11,страницы 1983

Фотолюминесцентные исследования захвата носителей в квантовую яму ДГС InGaAsP/InP

Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, Л. П. Никитин

Аннотация: Приведены результаты исследования температурных зависимостей интенсивностей фотолюминесценции изотипных ДГС InGaAsP/InP $n$- и $p$-типа с одиночными квантовыми ямами, выращенных методом жидкофазной эпитаксии.
Анализ полученных зависимостей показывает, что захват носителей, генерируемых светом в материале широкозонного эмиттера, в квантовую яму существенно определяется резонансом прохождения.