Энергия акцепторов и особенности перехода Мотта в $p$-InSb при однооcной деформации

Исследованы удельное сопротивление и эффект Холла в $p$-InSb с концентрацией акцепторов ${10^{14}{-}2\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ в условиях одноосного давления до 5 кбар в диапазоне температур 1.7$-$77 K. Показано, что одноосное сжатие приводит к уменьшению энергии ионизации акцептора, а для материалов с ${N_{A}-N_{D}>10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ — к переходу Мотта. При этом энергия основного состояния акцептора обращается в нуль, но часть носителей остается локализованной. Предполагается, что эти носители локализуются на других состояниях того же акцептора.