RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 3, страницы 398–402 (Mi phts95)

Фотопроводимость монокристаллов CdTe в области края фундаментального поглощения

А. Байдуллаева, В. В. Дякин, В. В. Коваль, А. В. Любченко, П. Е. Мозоль, Е. А. Сальков

Институт полупроводников АН УССР

Аннотация: Исследованы спектры фотопроводимости (ФП) и фотолюминесценции (ФЛ) специально нелегированных и легированных хлором кристаллов $n$-CdTe при 77 K в области края фундаментального поглощения. Показано, что селективный характер полос ФП обусловлен поглощением в донорно-акцепторных (DA) парах, а высокая фоточувствительность — эффектами непосредственного межцентрового взаимодействия между $DA$-парами и центрами фоточувствительности; путем лазерной обработки можно управлять величиной ФП в области селективных полос.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 26.12.1984
Принята в печать: 24.06.1985



© МИАН, 2024