RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 11, страницы 2018–2023 (Mi phts951)

Электрические свойства и фотопроводимость германия, компенсированного серебром

И. Г. Аксянов, В. Г. Иванов, С. К. Новоселов, М. А. Рещиков, Ю. С. Сметанникова


Аннотация: Исследованы гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства $n$-Ge$\langle$Sb, Ag$\rangle$. Определен фактор вырождения трехзарядного уровня серебра ${\gamma_{3}= 4}$. Найдена температурная зависимость сечения захвата электронов двухзарядным уровнем серебра и времени жизни электронов, которое составляет при ${T=77}$ K ${5\cdot 10^{-4}}$ и резко возрастает с понижением температуры. Определен коэффициент поглощения трехзарядным уровнем серебра, равный ${(0.2\div1)\cdot10^{-3}\,\text{см}^{-1}}$. Показано, что форма частотной зависимости сечения фотоионизации трехзарядного уровня серебра в значительной степени определяется кулоновским барьером многозарядного отталкивающего центра.



© МИАН, 2024