Физика и техника полупроводников,
1987, том 21, выпуск 11,страницы 2018–2023(Mi phts951)
Электрические свойства и фотопроводимость германия, компенсированного
серебром
И. Г. Аксянов, В. Г. Иванов, С. К. Новоселов, М. А. Рещиков, Ю. С. Сметанникова
Аннотация:
Исследованы гальваномагнитные и фотоэлектрические
свойства $n$-Ge$\langle$Sb, Ag$\rangle$. Определен фактор вырождения
трехзарядного уровня серебра ${\gamma_{3}= 4}$. Найдена температурная
зависимость сечения захвата электронов двухзарядным уровнем серебра
и времени жизни электронов, которое составляет при ${T=77}$ K
${5\cdot 10^{-4}}$ и резко возрастает с понижением температуры. Определен
коэффициент поглощения трехзарядным уровнем серебра, равный
${(0.2\div1)\cdot10^{-3}\,\text{см}^{-1}}$. Показано, что форма частотной
зависимости сечения фотоионизации трехзарядного уровня серебра в значительной
степени определяется кулоновским барьером многозарядного отталкивающего центра.