О поведении ванадия в арсениде галлия

Исследованы спектры поглощения, спектры глубоких уровней и определены концентрации основных остаточных донорных и акцепторных центров в полуизолирующих кристаллах арсенида галлия, легированных ванадием. Показано, что ни с самой этой примесью, ни с комплексами с ее участием не связаны никакие глубокие центры, расположенные вблизи середины запрещенной зоны GaAs. Полученные данные позволяют связать с введением ванадия две электронные ловушки с энергиями ионизации 0.15 и 0.2 эВ, однако их образование происходит скорее всего за счет генерации структурных дефектов при легировании ванадием.