С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Функция генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ при возбуждении электронным пучком”, Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 11,страницы 2028

Функция генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ при возбуждении электронным пучком

С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков

Аннотация: Экспериментально исследована в растровом электронном микроскопе трехмерная функция генерации неравновесных носителей в полупроводниках GaAs и GaInAsP. Параметры функции генерации определялись при регистрации сигнала тока, индуцированного электронным зондом в специально изготовленных гетероструктурах с «внутренним» детектором.
Впервые получено полное аналитическое описание трехмерной функции генерации электронно-дырочных пар в исследованных полупроводниках, которое необходимо для решения практических задач количественной растровой микроскопии.