О механизмах рекомбинации в кристаллах арсенида индия

Проведен теоретический расчет времен жизни излучательной и оже-рекомбинации в широком температурном интервале (${500\div77}$ K) для различной концентрации равновесных носителей заряда (${n_{0},p_{0}=10^{14}\div10^{17}\,\text{см}^{-3}}$). Показано, что при высоких температурах (${T> 300}$ K) и больших концентрациях носителей время жизни неравновесных носителей лимитировано оже-рекомбинацией, а при ${n_{0},p_{0}<10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ — излучательной. При промежуточных концентрациях время жизни определяется совместным действием излучательного и оже-процессов. Для чистых кристаллов в области высоких температур в оже-рекомбинации эффективен как СНСС-процесс (с участием двух электронов и дырки), так и CHSH-процесс (с участием двух дырок и электрона, при этом избыточная энергия передается дырке спин-отщепленной валентной зоны). Экспериментальные результаты исследования времени жизни из данных стационарной и нестационарной фотопроводимости кристаллов $n$- и $p$-InAs находятся в хорошем соответствии с теоретическими предсказаниями.