RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 11, страницы 2082–2084 (Mi phts964)

Краткие сообщения

Рекомбинация в Si после термообработки и $\gamma$-облучения

Ф. А. Заитов, Ю. М. Добровинский, В. Б. Неймаш, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич




© МИАН, 2024