RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 12, страницы 2125–2129 (Mi phts979)

Влияние температуры образца на рассеяние света примесными скоплениями в фосфиде индия

А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, Д. И. Мурин, Т. М. Мурина, А. М. Прохоров


Аннотация: Методом малоуглового рассеяния света CO$_{2}$-лазера (длина волны в вакууме 10.6 мкм) исследованы крупномасштабные примесные скопления в монокристаллах нелегированного ж легированного железом фосфида индия. Определены характерные размеры скоплений, проведена классификация кристаллов нелегированного фосфида индия по типам скоплений, определяющих рассеяние света этими кристаллами. По температурным зависимостям рассеяния света сделана оценка энергии активации точечных центров, входящих в состав скоплений (${50\div150}$ мэВ). Описан эффект долговременной релаксации рассеяния света, наблюдавшийся при температуре ниже 140 K.



© МИАН, 2024