Зарядовые эффекты в МДП структурах на антимониде индия

Рассмотрено накопление объемного заряда в собственном анодном окисле и пиролитической двуокиси кремния в МДП структурах на основе антимонида индия под влиянием сильнополевых обработок и под действием рентгеновского излучения. Показано, что в диэлектрике при различных воздействиях накапливается объемный заряд и изменяется плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник–диэлектрик.