Влияние электронного облучения на гальваномагнитные явления в $n$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se (${x=0.25}$)

Исследовано влияние электронного облучения (${T_{\text{обл}}\simeq300}$ K, ${E=6}$ МэВ, ${\Phi\leqslant1.65 \cdot10^{17}\,\text{см}^{-2}}$) на электрофизические свойства сплава Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se (${x=0.25}$) $n$-типа. Обнаружены уменьшение концентрации электронов в зоне проводимости и переход типа металл–диэлектрик под действием электронного облучения. Показано, что полученные в работе результаты объясняются возникновением при электронном облучении глубокого локального уровня, связанного, по-видимому, с вакансиями селена, расположенного в запрещенной зоне сплава.