RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 12, страницы 2159–2163 (Mi phts985)

О природе аномальных свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS

Л. Н. Неустроев, В. В. Осипов


Аннотация: Рассмотрено влияние поверхностных окисных фаз на фотоэлектрические процессы, протекающие в поликристаллических пленках типа PbS. Сделан вывод, что туннельно прозрачные для дырок окисные фазы на поверхности кристаллитов одновременно являются непроницаемыми для электронов. С этой точки зрения дано объяснение ряда «аномальных» экспериментальных результатов, опубликованных ранее в литературе. Показано, что наличие окисных фаз в поликристаллических пленках типа PbS является необходимым условием для реализации их максимально возможной фоточувствительности.



© МИАН, 2024