Некоторые электрофизические свойства тонких пластин $n$-Si, полученных методом анизотропного травления в растворе КОН

При 300 и 77 K исследованы вольтамперные характеристики (ВАХ) тонких (толщиной до 3 мкм) гантелеобразных образцов, полученных из однородных пластин $n$-Si методом анизотропного травления в щелочи. Сильная зависимость ВАХ таких образцов от их толщины, условий охлаждения и других факторов объясняется на основе учета инверсионного изгиба зон у поверхностей и крайне низкой интенсивности генерационно-рекомбинационных процессов, определяющих время установления равновесия между объемом и приповерхностным каналом при 77 K.