Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, В. Г. Голубев, Л. В. Голубев, В. И. Иванов-Омский, С. В. Новиков, А. В. Осутин, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, О. В. Ярошевич, “Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом”, Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 12,страницы 2201

Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом

Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, В. Г. Голубев, Л. В. Голубев, В. И. Иванов-Омский, С. В. Новиков, А. В. Осутин, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, О. В. Ярошевич

Аннотация: Проведен комплексный анализ электрофизических параметров, фотолюминесценции, субмиллиметровой фотопроводимости в магнитном поле в связи с различными конкретными условиями кристаллизации эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов в галлии, висмуте и смешанных. Предложена модель процесса «очистки» арсенида галлия висмутом.