RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2026, том 52, выпуск 9, страницы 7–10 (Mi pjtf10009)

Рост кристаллов оксида галлия методом свободной кристаллизации в холодном тигле

В. И. Николаевab, И. В. Познякc, А. Ю. Печенковc, А. В. Чикирякаa, Р. Б. Тимашовa, М. П. Щегловa, В. М. Крымовa, С. В. Шапенковa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследована возможность получения кристаллов оксида галлия методом свободной кристаллизации в холодном тигле. Представлены сведения об особенностях гарнисажной плавки оксида галлия. Получены первые монокристаллы, проведена их характеризация.

Ключевые слова: оксид галлия, рост кристаллов, холодный тигель, свободная кристаллизация.

Поступила в редакцию: 09.12.2025
Исправленный вариант: 29.12.2025
Принята в печать: 12.01.2026

DOI: 10.61011/PJTF.2026.09.62700.20596



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026