Акустостимулированное изменение плотности и энергетического спектра поверхностных состояний в монокристаллах $p$-кремния

Рассмотрено влияние ультразвуковых волн различной мощности на плотность $N_{SS}$ и энергетический спектр поверхностных состояний в $p$-Si-монокристаллах. Обнаружено, что в зависимости от режима облучения ультразвуковыми волнами в $p$-Si-монокристаллах происходят уменьшение или увеличение величины $N_{SS}$ по сравнению с необлученными монокристаллами. При этом происходит перераспределение интегрального заряда поверхностных состояний по ширине запрещенной зоны кремния. Наблюдаемый эффект связан с тем, что ультразвуковая волна, являясь, носителем энергии, модифицирует дефектную подсистему приповерхностных слоев кристалла путем перераспределения атомов примеси и генерации новых дефектов в нем.