Исследование планарного диода в режиме ограничения эмиссии

Выполнены экспериментальные исследования ВАХ плоского диода с графитовым взрывоэмиссионным катодом в начальный период формирования электронного тока. Получено аналитическое выражение для суммарной площади дискретных эмиссионных центров в приближении сотовой структуры и постоянства числа центров в течение формирования импульса тока. Показано, что рост электронного тока при дискретной эмиссионной поверхности катода удовлетворительно описывается модифицированным соотношением Чайлда–Ленгмюра при уменьшении форм-фактора от 6 до 1.