А. Н. Алексеев, С. Б. Александров, А. Э. Бырназ, Л. Э. Великовский, И. Э. Великовский, Д. М. Красовицкий, М. В. Павленко, С. И. Петров, М. Ю. Погорельский, Ю. В. Погорельский, И. А. Соколов, М. А. Соколов, М. В. Степанов, А. Г. Ткаченко, А. П. Шкурко, В. П. Чалый, “Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках Si”, Письма в ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 7,страницы 58

Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках Si

А. Н. Алексеев, С. Б. Александров, А. Э. Бырназ, Л. Э. Великовский, И. Э. Великовский, Д. М. Красовицкий, М. В. Павленко, С. И. Петров, М. Ю. Погорельский, Ю. В. Погорельский, И. А. Соколов, М. А. Соколов, М. В. Степанов, А. Г. Ткаченко, А. П. Шкурко, В. П. Чалый

АО "Светлана – Рост", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Сообщаются предварительные результаты переноса технологии роста многослойных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN на подложки кремния. Путем оптимизации ростовых условий минимизировано количество макроскопических трещин и получены гетероструктуры с двумерным электронным газом, пригодные для создания полевых транзисторов. Ток насыщения тестовых приборов, изготовленных из гетероструктур на подложках кремния, сопоставим с аналогичным параметром приборов на подложках сапфира, в то же время не наблюдается его уменьшения, связанного с тепловым рассеянием при больших значениях рабочих напряжений.