Аннотация:
Рассмотрено возбуждение волн пространственного заряда в полупроводнике с использованием света с энергией фотона, близкой к ширине запрещенной зоны. Для возбуждения применена оптическая методика – освещение кристалла колеблющейся интерференционной картиной. Продемонстрировано качественное совпадение модельных представлений с результатами эксперимента.