RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 13, страницы 15–20 (Mi pjtf10289)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Оптическое возбуждение волн пространственного заряда с участием межзонных переходов в Bi$_{12}$GeO$_{20}$

Д. В. Петровab, В. В. Лебедевab, В. В. Брыксинab, И. В. Плешаковab

a Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Рассмотрено возбуждение волн пространственного заряда в полупроводнике с использованием света с энергией фотона, близкой к ширине запрещенной зоны. Для возбуждения применена оптическая методика – освещение кристалла колеблющейся интерференционной картиной. Продемонстрировано качественное совпадение модельных представлений с результатами эксперимента.

Поступила в редакцию: 16.11.2007


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2008, 34:7, 549–551

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026