Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках AlN/SiC

Сообщаются предварительные результаты переноса технологии роста нитридных транзисторных гетероструктур на подложки AlN/SiC. Использование многослойных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN позволило практически воспроизвести основные приборные свойства гетероструктур, несмотря на более шероховатую по сравнению с сапфиром поверхность исходных подложек AlN/SiC. Ток насыщения тестовых приборов, изготовленных из гетероструктур на подложках AlN/SiC, сопоставим с аналогичным параметром приборов на подложках сапфира, в то же время не наблюдается его уменьшения, связанного с тепловым рассеянием при больших значениях рабочих напряжений.