Выращивание гетероструктур GaN/InGaN методом аммиачной МЛЭ с использованием “смачивающего” слоя металлического индия

Исследовано влияние условий роста слоев InGaN методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) с использованием аммиака в качестве источника азота на свойства гетероструктур GaN/InGaN. Установлено, что зависимость критического потока индия, приводящего к каплеобразованию при выращивании слоев InGaN на GaN, экспоненциальна и определяется усиливающейся десорбцией индия с поверхности растущего слоя при повышении температуры роста. Выращивание слоев InGaN на GaN даже при максимально возможном не приводящем к каплеобразованию потоке индия приводит к тому, что профиль распределения индия в слоях InGaN растянут. Показано, что для получения резких гетерограниц и увеличения содержания индия в тонких слоях InGaN необходимо поддержание на поверхности GaN перед и в ходе роста InGaN так называемого “смачивающего” слоя металлического индия. На основании полученных результатов установлены базовые условия роста тонких слоев InGaN для активной области светоизлучающих приборов сине-фиолетовой области спектра.