И. И. Новиков, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов, Н. В. Крыжановская, А. С. Паюсов, И. Л. Крестников, Д. А. Лифшиц, С. С. Михрин, А. Р. Ковш, “Инжекционные лазеры на квантовых точках с высоким оптическим усилением и длиной волны излучения более 1300 nm”, Письма в ЖТФ, 2008, том 34, выпуск 23,страницы 27

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Инжекционные лазеры на квантовых точках с высоким оптическим усилением и длиной волны излучения более 1300 nm

И. И. Новиков^abc, Н. Ю. Гордеев^abc, М. В. Максимов^abc, А. Е. Жуков^abc, Ю. М. Шерняков^abc, В. М. Устинов^abc, Н. В. Крыжановская^abc, А. С. Паюсов^abc, И. Л. Крестников^abc, Д. А. Лифшиц^abc, С. С. Михрин^abc, А. Р. Ковш^abc

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
^c Innolume GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11, 44263, Dortmund, Germany

Аннотация: Созданы и исследованы полупроводниковые лазеры на квантовых точках InAs/GaAs с максимальным коэффициентом модального усиления 46 cm$^{-1}$ на длине волны 1325 nm за счет увеличения фактора оптического ограничения и оптимизации параметров роста. Модальное усиление превысило 20 cm$^{-1}$ в диапазоне длин волн 1315–1345 nm при плотности тока 500 A/cm$^2$.

Поступила в редакцию: 14.05.2008