RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1985, том 11, выпуск 23, страницы 1409–1413 (Mi pjtf1066)

$Al\,Ga\,As/Ga\,As$ гетеролазеры раздельного ограничения, полученные модифицированным методом жидкостной эпитаксии ($I_{\text{п}}=260$ А/см$^{2}$, $\lambda= 0.86-0.83$ мкм, $T= 300$ K)

Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, А. В. Тикунов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Поступила в редакцию: 28.08.1985



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024