Исследование факторов, определяющих однородность толщины эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе $Ga(CH_{3})_{3}-As\,H_{3}-H_{2}$

А. И. Жмакин, И. П. Ипатова, Ю. Н. Макаров, М. А. Синицын, А. А. Фурсенко, Б. С. Явич

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Поступила в редакцию: 15.02.1986

Реферативные базы данных:

•