RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1983, том 9, выпуск 14, страницы 850–853 (Mi pjtf1705)

Эпитаксиальная кристаллизация напыленных слоев кремния на подложках GaP в условиях интерференционного лазерного отжига

Ю. В. Ковальчук, Е. Л. Портной, В. И. Скопина, В. Б. Смирницкий, О. В. Смольский, И. А. Соколов




© МИАН, 2024