RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1988, том 14, выпуск 4, страницы 289–293 (Mi pjtf1952)

Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором

В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков




Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024