Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе InGaAs/InP

Ж. И. Алфров, В. И. Босый, А. Т. Гореленок, А. В. Иващук, Н. Д. Ильинская, М. Н. Мизеров, И. А. Мокина, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт

Реферативные базы данных:

•