Полупроводниковый лазер с встроенным экситонным штарковским модулятором добротности на основе AlGaAs ДГС с одиночной квантовой ямой GaAs

Ж. И. Алфров, И. Л. Алейнер, В. М. Андреев, B. C. Калиновский, Г. Л. Сандлер, Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, Т. В. Шубина, В. П. Хвостиков

Реферативные базы данных:

•