Экспериментальное и численное исследование выращивания эпитаксиальных слоев GaAs и твердого раствора AlGaAs в горизонтальном реакторе при пониженном давлении

А. И. Жмакин, Л. А. Кадинский, И. А. Кузьмин, Ю. Н. Макаров, Е. А. Субашиева, Б. С. Явич

Реферативные базы данных:

•