Влияние области насыщающегося поглотителя на характеристики InGaAsP/InP РОС-лазеров с сильной коротковолновой расстройкой

В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, А. Г. Дерягин, В. Г. Дураев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, В. Б. Смирницкий, Е. Л. Портной

Реферативные базы данных:

•