Система диодной накачки АИГ${-}$Nd$^{3+}$ на основе InGaAsP/GaAs структур ($\text{Р}_{1.06}=320$ мВт, кпд 12%)

Д. З. Гарбузов, А. В. Гулаков, А. В. Кочергин, Н. А. Стругов, В. П. Чалый

Реферативные базы данных:

•