A. M. Крещук, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, “Структуры AlInAs/InGaAs с 2 МЭГ, полученные методом жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 1990, том 16, выпуск 5,страницы 50

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1990, том 16, выпуск 5, страницы 50–53 (Mi pjtf3147)

Структуры AlInAs/InGaAs с 2 МЭГ, полученные методом жидкофазной эпитаксии

A. M. Крещук, С. В. Новиков, И. Г. Савельев

Реферативные базы данных: