Низкопороговые (${I_{\text{п}}=3.0}$ мА, ${T=300}$ K) квантоворазмерные AlGaAs лазерные диоды с зарощенной гетероструктурой, полученные ЖФЭ

Ж. И. Алфров, В. М. Андреев, A. M. Андриеш, А. З. Мереуцэ, А. В. Сырбу, В. П. Яковлев

Реферативные базы данных:

•