Двумерный электронный газ в гетероструктурах In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, выращенных жидкофазной эпитаксией

А. Т. Гореленок, Д. Н. Рехвиашвили, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов

Реферативные базы данных:

•