RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1990, том 16, выпуск 10, страницы 27–29 (Mi pjtf3256)

Электропроводность и диэлектрические свойства аморфного полупроводника AgGeAsS$_{3}$

Е. Р. Баранова, В. Б. Злоказов, Л. Я. Кобелев, М. В. Перфильев




Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025